MOSFET onsemi, canale N, 12,8 Ω, 150 mA, MCP, Montaggio superficiale
- Codice RS:
- 774-0783P
- Codice costruttore:
- 3LN01M-TL-E
- Costruttore:
- onsemi
Non disponibile
RS non distribuirà più questo prodotto.
- Codice RS:
- 774-0783P
- Codice costruttore:
- 3LN01M-TL-E
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo di canale | N | |
| Corrente massima continuativa di drain | 150 mA | |
| Tensione massima drain source | 30 V | |
| Tipo di package | MCP | |
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima drain source | 12,8 Ω | |
| Modalità del canale | Enhancement | |
| Tensione di soglia gate massima | 1.3V | |
| Dissipazione di potenza massima | 150 mW | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Tensione massima gate source | -10 V, +10 V | |
| Numero di elementi per chip | 1 | |
| Materiale del transistor | Si | |
| Carica gate tipica @ Vgs | 1,58 nC a 10 V | |
| Lunghezza | 2mm | |
| Massima temperatura operativa | +150 °C | |
| Larghezza | 1.25mm | |
| Altezza | 0.9mm | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo di canale N | ||
Corrente massima continuativa di drain 150 mA | ||
Tensione massima drain source 30 V | ||
Tipo di package MCP | ||
Tipo di montaggio Montaggio superficiale | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima drain source 12,8 Ω | ||
Modalità del canale Enhancement | ||
Tensione di soglia gate massima 1.3V | ||
Dissipazione di potenza massima 150 mW | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Tensione massima gate source -10 V, +10 V | ||
Numero di elementi per chip 1 | ||
Materiale del transistor Si | ||
Carica gate tipica @ Vgs 1,58 nC a 10 V | ||
Lunghezza 2mm | ||
Massima temperatura operativa +150 °C | ||
Larghezza 1.25mm | ||
Altezza 0.9mm | ||