Transistor MOSFET Fairchild Semiconductor, canale N, 380 mΩ, 10,2 A, DPAK, Montaggio superficiale

Marchio

Fairchild Semiconductor

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

10,2 A

Tensione massima drain source

600 V

Tipo di package

DPAK

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

380 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate minima

2.5V

Dissipazione di potenza massima

106 W

Tensione massima gate source

+30 V

Massima temperatura operativa

+150 °C

Lunghezza

6.73mm

Carica gate tipica @ Vgs

34 nC a 10 V

Larghezza

6.22mm

Numero di elementi per chip

1

Minima temperatura operativa

-55 °C

Altezza

2.39mm