Transistor MOSFET Fairchild Semiconductor, canale N, 380 mΩ, 10,2 A, DPAK, Montaggio superficiale

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
774-1137P
Codice costruttore:
FCD380N60E
Costruttore:
Fairchild Semiconductor
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Marchio

Fairchild Semiconductor

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

10,2 A

Tensione massima drain source

600 V

Tipo di package

DPAK

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

380 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate minima

2.5V

Dissipazione di potenza massima

106 W

Tensione massima gate source

+30 V

Numero di elementi per chip

1

Larghezza

6.22mm

Massima temperatura operativa

+150 °C

Lunghezza

6.73mm

Carica gate tipica @ Vgs

34 nC a 10 V

Minima temperatura operativa

-55 °C

Altezza

2.39mm

MOSFET a canale N SuperFET® e SuperFET® II, Fairchild Semiconductor


Fairchild ha aggiunto ai propri prodotti la famiglia di MOSFET di potenza ad alta tensione SuperFET® II che utilizza la Tecnologia Super Junction. Offre un diodo integrato dalle prestazioni solide e migliori della categoria nelle applicazioni con alimentatori switching c.a.-c.c. come server, telecomunicazioni, informatica, alimentatori industriali, UPS/ESS, inverter solari, applicazioni di illuminazione, che richiedono un'elevata densità di potenza, efficienza del sistema e affidabilità.
Grazie a un'avanzata tecnologia di bilanciamento della carica, i progettisti possono realizzare soluzioni più efficienti e ad alte prestazioni che richiedono meno spazio su scheda e migliorano l'affidabilità.


Transistor MOSFET, ON Semi


Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.
Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.

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