MOSFET onsemi, canale N 60 V, 2.5 Ω Miglioramento, 380 mA, 3 Pin, SOT-23, Superficie

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
780-0478P
Codice costruttore:
2N7002KT1G
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

380mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

2N7002K

Tipo di package

SOT-23

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2.5Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-20V, +20V

Tensione diretta Vf

1.2V

Dissipazione di potenza massima Pd

420mW

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

0.7nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

1.01mm

Larghezza

1.4mm

Lunghezza

3.04mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il 2N7002K è un MOSFET di segnale piccolo. Questo MOSFET è un singolo canale N con protezione ESD in un contenitore per montaggio superficiale. Questo MOSFET ha migliorato l'efficienza del sistema e fa un grande uso nelle applicazioni portatili.

Caratteristiche e vantaggi:


• Protezione ESD

• N-Channel

• RDS basso

• PB e alogene gratis

• Scarico verso la sorgente - 60V.

• Miglioramento dell'efficienza del sistema

Applicazioni:


• Convertitore DC-DC

• Circuiti di traslazione di livello

• Interruttori di carico laterali bassi

• Applicazioni portatili come: Telefoni, PDA, DSC, laptop e tablet.

MOSFET di potenza a canale N, 60V, ON Semiconductor


Transistor MOSFET, ON Semiconductor


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