2 MOSFET onsemi Tipo isolato, canale Tipo N, Tipo P, 500 mΩ, 880 mA 30 V, SC-88, Superficie Miglioramento, 6 Pin
- Codice RS:
- 780-0614P
- Codice costruttore:
- NTJD4158CT1G
- Costruttore:
- onsemi
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|---|---|
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- Codice RS:
- 780-0614P
- Codice costruttore:
- NTJD4158CT1G
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N, Tipo P | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 880mA | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 30V | |
| Tipo di package | SC-88 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 6 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 500mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 0.9nC | |
| Tensione diretta Vf | 0.65V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 270mW | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Configurazione transistor | Tipo isolato | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Larghezza | 1.35mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 1mm | |
| Lunghezza | 2.2mm | |
| Numero elementi per chip | 2 | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N, Tipo P | ||
Massima corrente di scarico continua Id 880mA | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V | ||
Tipo di package SC-88 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 6 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 500mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 0.9nC | ||
Tensione diretta Vf 0.65V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 270mW | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Configurazione transistor Tipo isolato | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Larghezza 1.35mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 1mm | ||
Lunghezza 2.2mm | ||
Numero elementi per chip 2 | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
MOSFET a canale doppio N/P, ON Semiconductor
NTJD1155L è un MOSFET a doppio canale. Caratterizzato sia da P che da N-channel in un unico package, questo MOSFET è brillante per un segnale di controllo basso, basse tensioni di batteria e correnti di carico elevate. Il canale N è dotato di protezione ESD interna e può essere pilotato da segnali logici fino a 1,5 V, mentre il canale P è progettato per essere utilizzato su applicazioni di commutazione del carico. Il canale P è progettato anche con la tecnologia trench di ON semi.