2 MOSFET onsemi Tipo isolato, canale Tipo P, Tipo N, 200 mΩ, 4.6 A 20 V, WDFN, Superficie Miglioramento, 6 Pin

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
780-0655P
Codice costruttore:
NTLJD3119CTBG
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P, Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

4.6A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Tipo di package

WDFN

Serie

μCool

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

6

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

200mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

2.3W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

3.7nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-8V, +8V

Tensione diretta Vf

690mV

Configurazione transistor

Tipo isolato

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Altezza

750μm

Lunghezza

2mm

Larghezza

2mm

Numero elementi per chip

2

Standard automobilistico

No

MOSFET a canale doppio N/P, ON Semiconductor


NTJD1155L è un MOSFET a doppio canale. Caratterizzato sia da P che da N-channel in un unico package, questo MOSFET è brillante per un segnale di controllo basso, basse tensioni di batteria e correnti di carico elevate. Il canale N è dotato di protezione ESD interna e può essere pilotato da segnali logici fino a 1,5 V, mentre il canale P è progettato per essere utilizzato su applicazioni di commutazione del carico. Il canale P è progettato anche con la tecnologia trench di ON semi.

Transistor MOSFET, ON Semiconductor


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