MOSFET onsemi, canale Tipo P 20 V, 160 mΩ Miglioramento, 1.37 A, 3 Pin, SC-70, Superficie
- Codice RS:
- 780-4767P
- Codice costruttore:
- NTS4101PT1G
- Costruttore:
- onsemi
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- 780-4767P
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- NTS4101PT1G
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 1.37A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 20V | |
| Tipo di package | SC-70 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 160mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 329mW | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | -1.2V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | -8V, +8V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 6.4nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Altezza | 900μm | |
| Larghezza | 1.35mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 2.2mm | |
| Standard automobilistico | No | |
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|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Massima corrente di scarico continua Id 1.37A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 20V | ||
Tipo di package SC-70 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 160mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 329mW | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf -1.2V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs -8V, +8V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 6.4nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Altezza 900μm | ||
Larghezza 1.35mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 2.2mm | ||
Standard automobilistico No | ||