MOSFET Nexperia, canale P, 120 mΩ, 2 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Codice RS:: 780-5376P
Codice costruttore:: NX2301P,215
Costruttore:: Nexperia

MOSFET Nexperia, canale P, 120 mΩ, 2 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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Prezzo per Pezzo (Fornito in bobina) Quantità inferiori a 150 pz. sono fornite in una striscia senza intestazioni.

0,047 €

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Unità	Per unità
100 +	0,047 €

Codice RS:: 780-5376P
Codice costruttore:: NX2301P,215
Costruttore:: Nexperia

NX2301P 20V 2A P-channel MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	2 A
Tensione massima drain source	20 V
Tipo di package	SOT-23
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	120 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	1.1V
Tensione di soglia gate minima	0.5V
Dissipazione di potenza massima	400 mW
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-8 V, +8 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	1.4mm
Lunghezza	3mm
Materiale del transistor	Si
Carica gate tipica @ Vgs	4,5 nC a 10 V
Altezza	1mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Nexperia, canale P, 120 mΩ, 2 A, SOT-23, Montaggio superficiale

MOSFET a canale P, Nexperia