MOSFET STMicroelectronics, canale N, 78 mΩ, 35 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

Codice RS:: 783-2949P
Codice costruttore:: STB45N65M5
Costruttore:: STMicroelectronics

MOSFET STMicroelectronics, canale N, 78 mΩ, 35 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

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Codice RS:: 783-2949P
Codice costruttore:: STB45N65M5
Costruttore:: STMicroelectronics

ST*45N65M5 N-channel V Power MOSFET Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	35 A
Tensione massima drain source	710 V
Tipo di package	D2PAK (TO-263)
Serie	MDmesh M5
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	78 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	5V
Tensione di soglia gate minima	3V
Dissipazione di potenza massima	210 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-25 V, +25 V
Larghezza	9.35mm
Materiale del transistor	Si
Numero di elementi per chip	1
Carica gate tipica @ Vgs	82 nC a 10 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Lunghezza	10.4mm
Altezza	4.6mm

MOSFET STMicroelectronics, canale N, 78 mΩ, 35 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

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MDmesh™ a canale N serie M5, STMicroelectronics