MOSFET STMicroelectronics, canale N, 780 mΩ, 5,5 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

Codice RS:: 786-3628P
Codice costruttore:: STD9N60M2
Costruttore:: STMicroelectronics

MOSFET STMicroelectronics, canale N, 780 mΩ, 5,5 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

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Codice RS:: 786-3628P
Codice costruttore:: STD9N60M2
Costruttore:: STMicroelectronics

ST*9N60M2 N-channel Low Qg Power MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	5,5 A
Tensione massima drain source	650 V
Serie	MDmesh M2
Tipo di package	DPAK (TO-252)
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	780 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4V
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	60 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-25 V, +25 V
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	6.2mm
Carica gate tipica @ Vgs	10 nC a 10 V
Lunghezza	6.6mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Materiale del transistor	Si
Altezza	2.4mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET STMicroelectronics, canale N, 780 mΩ, 5,5 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

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MDmesh™ a canale N serie M2, STMicroelectronics