MOSFET STMicroelectronics, canale N 100 V, 16.5 mΩ Miglioramento, 60 A, 8 Pin, PowerFLAT, Superficie STL60N10F7

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
786-3741P
Codice costruttore:
STL60N10F7
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

60A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

STripFET H7

Tipo di package

PowerFLAT

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

16.5mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-20V, +20V

Dissipazione di potenza massima Pd

5W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.1V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

25nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

5.4mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

950μm

Larghezza

6.35mm

Standard automobilistico

No

STripFET™ a canale N, serie H7, STMicroelectronics


I MOSFET STripFET™ con gamma di tensione di scarica distruttiva offrono una carica di gate ultra-bassa e bassa resistenza all'accensione.

Transistor MOSFET, STMicroelectronics


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