MOSFET Vishay, canale N, 4,5 mΩ, 14,5 mΩ, 16 A, 28 A, PowerPAIR, Montaggio superficiale

Codice RS:: 787-9406P
Codice costruttore:: SIZ918DT-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale N, 4,5 mΩ, 14,5 mΩ, 16 A, 28 A, PowerPAIR, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 787-9406P
Codice costruttore:: SIZ918DT-T1-GE3
Costruttore:: Vishay

SiZ918DT, Dual N-Channel 30V (Drain-Source) MOSFETs Data Sheet

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	16 A, 28 A
Tensione massima drain source	30 V
Tipo di package	PowerPAIR
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	4,5 mΩ, 14,5 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	1V
Dissipazione di potenza massima	29 W, 100 W
Configurazione transistor	Serie
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Numero di elementi per chip	2
Materiale del transistor	Si
Larghezza	6.1mm
Lunghezza	5.1mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Carica gate tipica @ Vgs	14 nC a 10 V, 67,3 nC a 10 V
Altezza	0.8mm
Minima temperatura operativa	-55 °C
Serie	PowerPAIR

MOSFET Vishay, canale N, 4,5 mΩ, 14,5 mΩ, 16 A, 28 A, PowerPAIR, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale N doppio PowerPAIR®, Vishay Semiconductor