Codice costruttore

MOSFET Vishay, canale Tipo N 20 V, 53 mΩ Miglioramento, 8 A, 6 Pin, TSOP, Superficie SQ3460EV-T1_GE3

Codice RS:: 787-9468
Codice costruttore:: SQ3460EV-T1_GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale Tipo N 20 V, 53 mΩ Miglioramento, 8 A, 6 Pin, TSOP, Superficie SQ3460EV-T1_GE3

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500 - 990	0,704 €	7,04 €
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Codice RS:: 787-9468
Codice costruttore:: SQ3460EV-T1_GE3
Costruttore:: Vishay

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Vishay
	Tipo di canale	Tipo N
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	8A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	20V
	Serie	SQ Rugged
	Tipo di package	TSOP
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	6
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	53mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	9.3nC
	Tensione diretta Vf	0.77V
	Dissipazione di potenza massima Pd	3.6W
	Temperatura massima di funzionamento	175°C
	Standard/Approvazioni	No
	Lunghezza	3.1mm
	Altezza	1mm
	Standard automobilistico	AEC-Q101

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	Marchio Vishay
	Tipo di canale Tipo N
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 8A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 20V
	Serie SQ Rugged
	Tipo di package TSOP
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 6
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 53mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Minima temperatura operativa -55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 9.3nC
	Tensione diretta Vf 0.77V
	Dissipazione di potenza massima Pd 3.6W
	Temperatura massima di funzionamento 175°C
	Standard/Approvazioni No
	Lunghezza 3.1mm
	Altezza 1mm
	Standard automobilistico AEC-Q101

MOSFET canale N, serie Automotive SQ Rugged, Vishay Semiconductor

I MOSFET serie SQ di Vishay Semiconductor sono progettati per tutte le applicazioni automobilistiche che richiedono robustezza e un'elevata affidabilità.

Vantaggi dei MOSFET serie SQ Rugged

• Qualifica AEC-Q101

• Temperatura di giunzione fino a +175 °C

• Tecnologie TrenchFET® a canale N e canale P con bassa resistenza all'accensione

• Innovative opzioni per contenitore salvaspazio

Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor

Approvals

AEC-Q101

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