MOSFET Vishay, canale Tipo N 20 V, 53 mΩ Miglioramento, 8 A, 6 Pin, TSOP, Superficie SQ3460EV-T1_GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
787-9468
Codice costruttore:
SQ3460EV-T1_GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

8A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Tipo di package

TSOP

Serie

SQ Rugged

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

6

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

53mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

0.77V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

9.3nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

8 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

3.6W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

3.1mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

1.7 mm

Altezza

1mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET canale N, serie Automotive SQ Rugged, Vishay Semiconductor


I MOSFET serie SQ di Vishay Semiconductor sono progettati per tutte le applicazioni automobilistiche che richiedono robustezza e un'elevata affidabilità.

Vantaggi dei MOSFET serie SQ Rugged


• Qualifica AEC-Q101

• Temperatura di giunzione fino a +175 °C

• Tecnologie TrenchFET® a canale N e canale P con bassa resistenza all'accensione

• Innovative opzioni per contenitore salvaspazio

Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


Approvals

AEC-Q101

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