MOSFET STMicroelectronics, canale N, 380 mΩ, 11 A, TO-220, Su foro

Codice RS:: 791-7801P
Codice costruttore:: STP13NM60ND
Costruttore:: STMicroelectronics

MOSFET STMicroelectronics, canale N, 380 mΩ, 11 A, TO-220, Su foro

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Codice RS:: 791-7801P
Codice costruttore:: STP13NM60ND
Costruttore:: STMicroelectronics

N-Channel 600V, 0.32 Ohm typ., 11A, FDmesh II Power MOSFET(with Fast Diode) in DPAK, TO-220FP and TO-220 Packages Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	11 A
Tensione massima drain source	600 V
Tipo di package	TO-220
Serie	FDmesh
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	380 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	5V
Tensione di soglia gate minima	3V
Dissipazione di potenza massima	109 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-25 V, +25 V
Carica gate tipica @ Vgs	24,5 nC a 10 V
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	4.6mm
Materiale del transistor	Si
Lunghezza	10.4mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Altezza	15.75mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET STMicroelectronics, canale N, 380 mΩ, 11 A, TO-220, Su foro

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MOSFET di potenza FDmesh™ a canale N, STMicroelectronics