MOSFET STMicroelectronics, canale N, 1,2 Ω, 6 A, IPAK (TO-251), Su foro

Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

6 A

Tensione massima drain source

800 V

Tipo di package

IPAK (TO-251)

Serie

MDmesh K5, SuperMESH5

Tipo di montaggio

Su foro

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

1,2 Ω

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

5V

Tensione di soglia gate minima

3V

Dissipazione di potenza massima

110 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-30 V, +30 V

Lunghezza

6.6mm

Larghezza

2.4mm

Massima temperatura operativa

+150 °C

Numero di elementi per chip

1

Carica gate tipica @ Vgs

13,4 nC a 10 V

Materiale del transistor

Si

Altezza

6.2mm

Minima temperatura operativa

-55 °C