MOSFET STMicroelectronics, canale N, 450 mΩ, 12 A, TO-220FP, Su foro
- Codice RS:
- 791-9311
- Codice costruttore:
- STF13N80K5
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Prezzo per 1 confezione da 5 unità*
5,78 €
(IVA esclusa)
7,05 €
(IVA inclusa)
Informazioni sulle scorte attualmente non disponibili - Si prega di controllare più tardi
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 5 + | 1,156 € | 5,78 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 791-9311
- Codice costruttore:
- STF13N80K5
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo di canale | N | |
| Corrente massima continuativa di drain | 12 A | |
| Tensione massima drain source | 800 V | |
| Tipo di package | TO-220FP | |
| Serie | MDmesh K5, SuperMESH5 | |
| Tipo di montaggio | Su foro | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima drain source | 450 mΩ | |
| Modalità del canale | Enhancement | |
| Tensione di soglia gate massima | 5V | |
| Tensione di soglia gate minima | 3V | |
| Dissipazione di potenza massima | 35 W | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Tensione massima gate source | -30 V, +30 V | |
| Numero di elementi per chip | 1 | |
| Carica gate tipica @ Vgs | 29 nC a 10 V | |
| Lunghezza | 10.6mm | |
| Massima temperatura operativa | +150 °C | |
| Materiale del transistor | Si | |
| Larghezza | 4.6mm | |
| Altezza | 16.4mm | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo di canale N | ||
Corrente massima continuativa di drain 12 A | ||
Tensione massima drain source 800 V | ||
Tipo di package TO-220FP | ||
Serie MDmesh K5, SuperMESH5 | ||
Tipo di montaggio Su foro | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima drain source 450 mΩ | ||
Modalità del canale Enhancement | ||
Tensione di soglia gate massima 5V | ||
Tensione di soglia gate minima 3V | ||
Dissipazione di potenza massima 35 W | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Tensione massima gate source -30 V, +30 V | ||
Numero di elementi per chip 1 | ||
Carica gate tipica @ Vgs 29 nC a 10 V | ||
Lunghezza 10.6mm | ||
Massima temperatura operativa +150 °C | ||
Materiale del transistor Si | ||
Larghezza 4.6mm | ||
Altezza 16.4mm | ||
MDmesh™ a canale N serie M5, SuperMESH5™, STMicroelectronics
Transistor MOSFET, STMicroelectronics
