MOSFET Nexperia, canale N, 1,6 Ω, 360 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

Codice RS:: 792-0765P
Codice costruttore:: 2N7002P,215
Costruttore:: Nexperia

MOSFET Nexperia, canale N, 1,6 Ω, 360 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

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Unità	Per unità
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Codice RS:: 792-0765P
Codice costruttore:: 2N7002P,215
Costruttore:: Nexperia

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	360 mA
Tensione massima drain source	60 V
Tipo di package	SOT-23
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	1,6 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2.4V
Tensione di soglia gate minima	1.1V
Dissipazione di potenza massima	420 mW
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Numero di elementi per chip	1
Carica gate tipica @ Vgs	0,6 nC a 4,5 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Larghezza	1.4mm
Materiale del transistor	Si
Lunghezza	3mm
Altezza	1mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Nexperia, canale N, 1,6 Ω, 360 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

MOSFET a canale N, da 60V a 80V, Nexperia