MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 100 V, 8 mΩ Miglioramento, 80 A, 3 Pin, TO-263, Superficie
- Codice RS:
- 792-5697P
- Codice costruttore:
- STB100N10F7
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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Unità | Per unità |
|---|---|
| 25 - 45 | 2,942 € |
| 50 - 120 | 2,648 € |
| 125 - 245 | 2,384 € |
| 250 + | 2,26 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 792-5697P
- Codice costruttore:
- STB100N10F7
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 80A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 100V | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Serie | STripFET H7 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 8mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 61nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 150W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 10.4mm | |
| Altezza | 4.6mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 80A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Serie STripFET H7 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 8mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 61nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 150W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 10.4mm | ||
Altezza 4.6mm | ||
Standard automobilistico No | ||
STripFET™ a canale N, serie H7, STMicroelectronics
I MOSFET STripFET™ con gamma di tensione di scarica distruttiva offrono una carica di gate ultra-bassa e bassa resistenza all'accensione.