MOSFET STMicroelectronics, canale P, 45 mΩ, 12 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

Codice RS:: 792-5717P
Codice costruttore:: STD26P3LLH6
Costruttore:: STMicroelectronics

MOSFET STMicroelectronics, canale P, 45 mΩ, 12 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

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Codice RS:: 792-5717P
Codice costruttore:: STD26P3LLH6
Costruttore:: STMicroelectronics

STD26P3LLH6, P-Channel 30V, 0.024 Ohm typ., 12A, STripFET VI DeepGATE Power MOSFET in a DPAK package Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	12 A
Tensione massima drain source	30 V
Tipo di package	DPAK (TO-252)
Serie	STripFET
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	45 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2.5V
Tensione di soglia gate minima	1V
Dissipazione di potenza massima	40 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Numero di elementi per chip	1
Materiale del transistor	Si
Massima temperatura operativa	+175 °C
Lunghezza	6.6mm
Larghezza	6.2mm
Carica gate tipica @ Vgs	12 nC a 4,5 V
Altezza	2.4mm

MOSFET STMicroelectronics, canale P, 45 mΩ, 12 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

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MOSFET di potenza STripFET™ a canale P, STMicroelectronics