MOSFET STMicroelectronics, canale N, 35 mΩ, 25 A, TO-220FP, Su foro
- Codice RS:
- 792-5741
- Codice costruttore:
- STF25N10F7
- Costruttore:
- STMicroelectronics
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Prezzo per 1 confezione da 5 unità*
5,50 €
(IVA esclusa)
6,70 €
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Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 1,10 € | 5,50 € |
| 25 - 45 | 1,044 € | 5,22 € |
| 50 - 120 | 0,94 € | 4,70 € |
| 125 - 245 | 0,846 € | 4,23 € |
| 250 + | 0,80 € | 4,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 792-5741
- Codice costruttore:
- STF25N10F7
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo di canale | N | |
| Corrente massima continuativa di drain | 25 A | |
| Tensione massima drain source | 100 V | |
| Tipo di package | TO-220FP | |
| Serie | STripFET H7 | |
| Tipo di montaggio | Su foro | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima drain source | 35 mΩ | |
| Modalità del canale | Enhancement | |
| Tensione di soglia gate massima | 4.5V | |
| Tensione di soglia gate minima | 2.5V | |
| Dissipazione di potenza massima | 25 W | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Tensione massima gate source | -20 V, +20 V | |
| Numero di elementi per chip | 1 | |
| Larghezza | 4.6mm | |
| Lunghezza | 10.4mm | |
| Massima temperatura operativa | +175 °C | |
| Materiale del transistor | Si | |
| Carica gate tipica @ Vgs | 14 nC a 10 V | |
| Altezza | 16.4mm | |
| Minima temperatura operativa | -55 °C | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo di canale N | ||
Corrente massima continuativa di drain 25 A | ||
Tensione massima drain source 100 V | ||
Tipo di package TO-220FP | ||
Serie STripFET H7 | ||
Tipo di montaggio Su foro | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima drain source 35 mΩ | ||
Modalità del canale Enhancement | ||
Tensione di soglia gate massima 4.5V | ||
Tensione di soglia gate minima 2.5V | ||
Dissipazione di potenza massima 25 W | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Tensione massima gate source -20 V, +20 V | ||
Numero di elementi per chip 1 | ||
Larghezza 4.6mm | ||
Lunghezza 10.4mm | ||
Massima temperatura operativa +175 °C | ||
Materiale del transistor Si | ||
Carica gate tipica @ Vgs 14 nC a 10 V | ||
Altezza 16.4mm | ||
Minima temperatura operativa -55 °C | ||
STripFET™ a canale N, serie H7, STMicroelectronics
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Transistor MOSFET, STMicroelectronics
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