MOSFET IXYS, canale N, 660 mΩ, 18 A, TO-247, Su foro

I MOSFET di potenza HiperFET™ della classe IXYS Q3 sono adatti sia alle applicazioni con modalità hard switching sia di risonanza, e offrono una carica di gate bassa con eccezionale robustezza. I dispositivi sono dotati di un diodo intrinseco rapido e sono disponibili in una varietà di contenitori standard industriali, inclusi i tipi isolati con valori nominali di fino a 1100 V e 70 A. Tra le applicazioni rientrano: convertitori cc-cc, caricabatterie, alimentatori di risonanza e switching, chopper cc, controllo dell'illuminazione e della temperatura.

Diodo raddrizzatore intrinseco rapido
RDS(on) e QG (carica gate) ridotti
Bassa resistenza di gate intrinseca
Contenitori conformi allo standard industriale
Contenitore a bassa induttanza
Alta densità di potenza

Transistor MOSFET, IXYS

Un'ampia gamma di dispositivi MOSFET di potenza discreti avanzata fornita da IXYS