MOSFET IXYS, canale N, 154 mΩ, 32 A, ISOPLUS247, Su foro

Visualizza MOSFET
Al momento non disponibile
Non sappiamo se questo articolo tornerà in stock, RS intende rimuoverlo a breve dall'assortimento.
Codice RS:
801-1443
Codice costruttore:
IXFR48N60Q3
Costruttore:
IXYS
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

IXYS

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

32 A

Tensione massima drain source

600 V

Serie

HiperFET, Q3-Class

Tipo di package

ISOPLUS247

Tipo di montaggio

Su foro

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

154 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

6.5V

Dissipazione di potenza massima

500 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-30 V, +30 V

Materiale del transistor

Si

Larghezza

5.21mm

Carica gate tipica @ Vgs

140 nC a 10 V

Lunghezza

16.13mm

Massima temperatura operativa

+150 °C

Numero di elementi per chip

1

Altezza

21.34mm

Minima temperatura operativa

-55 °C

MOSFET di potenza a canale N, serie HiperFET™ Q3 IXYS


I MOSFET di potenza HiperFET™ della classe IXYS Q3 sono adatti sia alle applicazioni con modalità hard switching sia di risonanza, e offrono una carica di gate bassa con eccezionale robustezza. I dispositivi sono dotati di un diodo intrinseco rapido e sono disponibili in una varietà di contenitori standard industriali, inclusi i tipi isolati con valori nominali di fino a 1100 V e 70 A. Tra le applicazioni rientrano: convertitori cc-cc, caricabatterie, alimentatori di risonanza e switching, chopper cc, controllo dell'illuminazione e della temperatura.

Diodo raddrizzatore intrinseco rapido

RDS(on) e QG (carica gate) ridotti

Bassa resistenza di gate intrinseca

Contenitori conformi allo standard industriale

Contenitore a bassa induttanza

Alta densità di potenza

Transistor MOSFET, IXYS


Un'ampia gamma di dispositivi MOSFET di potenza discreti avanzata fornita da IXYS

Link consigliati