MOSFET IXYS, canale N, 14,5 mΩ, 210 A, PLUS264, Su foro

Name: MOSFET IXYS, canale N, 14,5 mΩ, 210 A, PLUS264, Su foro
Brand: IXYS
SKU: 802-4357P
Price: 30.91 EUR
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Unità	Per unità
13 +	25,34 €

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	210 A
Tensione massima drain source	300 V
Tipo di package	PLUS264
Serie	HiperFET, Polar3
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	14,5 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	5V
Dissipazione di potenza massima	1,89 kW
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Larghezza	5.31mm
Carica gate tipica @ Vgs	268 nC a 10 V
Lunghezza	20.29mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	1
Materiale del transistor	Si
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	26.59mm