MOSFET IXYS, canale N, 50 mΩ, 98 A, PLUS247, Su foro

Prodotto discontinuato

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	98 A
Tensione massima drain source	500 V
Serie	HiperFET, Polar3
Tipo di package	PLUS247
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	50 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	5V
Dissipazione di potenza massima	1,3 kW
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-30 V, +30 V
Lunghezza	16.13mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	1
Carica gate tipica @ Vgs	197 nC a 10 V
Materiale del transistor	Si
Larghezza	5.21mm
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	21.34mm