MOSFET onsemi, canale N 60 V, 120 mΩ Miglioramento, 3 A, 4 Pin, SOT-223, Superficie

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
805-8717P
Codice costruttore:
NVF3055L108T1G
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

3A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

SOT-223

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

120mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

870mV

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-15V, +15V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

7.6nC

Dissipazione di potenza massima Pd

2.1W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1.65mm

Larghezza

3.7mm

Lunghezza

6.7mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET di potenza a canale N, 60V, ON Semiconductor


Transistor MOSFET, ON Semiconductor


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