MOSFET onsemi, canale N 60 V, 120 mΩ Miglioramento, 3 A, 4 Pin, SOT-223, Superficie
- Codice RS:
- 805-8717P
- Codice costruttore:
- NVF3055L108T1G
- Costruttore:
- onsemi
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- Codice RS:
- 805-8717P
- Codice costruttore:
- NVF3055L108T1G
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 3A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Tipo di package | SOT-223 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 4 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 120mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione diretta Vf | 0.87V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 2.1W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 15V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 7.6nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Lunghezza | 6.7mm | |
| Altezza | 1.65mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Larghezza | 3.7mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 3A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Tipo di package SOT-223 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 4 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 120mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione diretta Vf 0.87V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 2.1W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 15V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 7.6nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Lunghezza 6.7mm | ||
Altezza 1.65mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Larghezza 3.7mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||