MOSFET onsemi, canale Tipo N 60 V, 360 mΩ Miglioramento, 2.8 A, 4 Pin, SOT-223, Superficie NDT014L

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
806-1255
Codice costruttore:
NDT014L
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

2.8A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

NDT

Tipo di package

SOT-223

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

360mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-65°C

Dissipazione di potenza massima Pd

3W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

3.6nC

Tensione diretta Vf

0.85V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

6.7mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1.7mm

Larghezza

3.7 mm

Standard automobilistico

No

MOSFET a canale N in modalità potenziata, Fairchild Semiconductor


I transistor a effetto di campo in modalità potenziata (FET) vengono prodotti utilizzando la tecnologia DMOS a elevata densità cellulare brevettata da Fairchild. Questo processo ad alta densità è stato ideato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo e garantisce prestazioni solide e affidabili nonché una commutazione rapida.

Transistor MOSFET, ON Semi


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Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.

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