MOSFET onsemi, canale N, 32 mΩ, 9 A, MLP, Montaggio superficiale

Marchio

onsemi

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

9 A

Tensione massima drain source

30 V

Serie

PowerTrench

Tipo di package

MLP

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

6

Resistenza massima drain source

32 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate minima

1V

Dissipazione di potenza massima

2,4 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-20 V, +20 V

Massima temperatura operativa

+150 °C

Lunghezza

2mm

Carica gate tipica @ Vgs

9,3 nC a 10 V

Larghezza

2mm

Materiale del transistor

Si

Numero di elementi per chip

1

Tensione diretta del diodo

1.2V

Minima temperatura operativa

-55 °C

Altezza

0.725mm