2 Doppio MOSFET di potenza a canale N a trincea onsemi Tipo isolato, canale N, 10 mΩ, 12 A 40 V, Power 33, Superficie
- Codice RS:
- 806-3504P
- Codice costruttore:
- FDMC8030
- Costruttore:
- onsemi
Prezzo per 30 unità (fornito in una striscia continua)*
49,74 €
(IVA esclusa)
60,69 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
- 1365 unità ancora disponibili, pronte per la spedizione da un'altra sede.
Unità | Per unità |
|---|---|
| 30 - 145 | 1,658 € |
| 150 - 745 | 1,464 € |
| 750 - 1495 | 1,262 € |
| 1500 + | 1,082 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 806-3504P
- Codice costruttore:
- FDMC8030
- Costruttore:
- onsemi
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | Doppio MOSFET di potenza a canale N a trincea | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 12A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 40V | |
| Serie | PowerTrench | |
| Tipo di package | Power 33 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 10mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 30nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 1.9W | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 12V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Configurazione transistor | Tipo isolato | |
| Lunghezza | 3mm | |
| Altezza | 0.75mm | |
| Larghezza | 3mm | |
| Standard/Approvazioni | Lead-Free and RoHS | |
| Numero elementi per chip | 2 | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto Doppio MOSFET di potenza a canale N a trincea | ||
Massima corrente di scarico continua Id 12A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V | ||
Serie PowerTrench | ||
Tipo di package Power 33 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 10mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 30nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 1.9W | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 12V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Configurazione transistor Tipo isolato | ||
Lunghezza 3mm | ||
Altezza 0.75mm | ||
Larghezza 3mm | ||
Standard/Approvazioni Lead-Free and RoHS | ||
Numero elementi per chip 2 | ||
Standard automobilistico No | ||