Singolo MOSFET onsemi, canale N, 1.2 Ω 20 V, 600 mA Miglioramento, SOT-523 (SC-89), Superficie, 3 Pin FDY302NZ
- Codice RS:
- 807-0729P
- Codice costruttore:
- FDY302NZ
- Costruttore:
- onsemi
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- 807-0729P
- Codice costruttore:
- FDY302NZ
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | N | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds) | 1.2 Ω | |
| Tensione massima della sorgente di scarico (Vds) | 20 V | |
| Massima corrente di scarico continua (Id) | 600 mA | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tipo di package | SOT-523 (SC-89) | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Altezza | 780 μm | |
| Lunghezza | 1.7 mm | |
| Tensione massima della sorgente del cancello (Vgs) | 12 V, -12 V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150 °C | |
| Dissipazione di potenza massima (Pd) | 625 mW | |
| Minima temperatura operativa | -55 °C | |
| Serie | PowerTrench | |
| Larghezza | 980 μm | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale N | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico (Rds) 1.2 Ω | ||
Tensione massima della sorgente di scarico (Vds) 20 V | ||
Massima corrente di scarico continua (Id) 600 mA | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tipo di package SOT-523 (SC-89) | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Altezza 780 μm | ||
Lunghezza 1.7 mm | ||
Tensione massima della sorgente del cancello (Vgs) 12 V, -12 V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150 °C | ||
Dissipazione di potenza massima (Pd) 625 mW | ||
Minima temperatura operativa -55 °C | ||
Serie PowerTrench | ||
Larghezza 980 μm | ||
PowerTrench® N-Channel MOSFET, up to 9.9A, Fairchild Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.