Transistor ad effetto di campo onsemi, canale Tipo N 60 V, 2 Ω Miglioramento, 400 mA, 3 Pin, TO-92, Foro passante BS270

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
807-5184
Codice costruttore:
BS270
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

Transistor ad effetto di campo

Massima corrente di scarico continua Id

400mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

TO-92

Serie

BS270

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

625mW

Tensione diretta Vf

1.2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

4.7mm

Lunghezza

4.7mm

Larghezza

3.93 mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

MOSFET a canale N in modalità potenziata, Fairchild Semiconductor


I transistor a effetto di campo in modalità potenziata (FET) vengono prodotti utilizzando la tecnologia DMOS a elevata densità cellulare brevettata da Fairchild. Questo processo ad alta densità è stato ideato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo e garantisce prestazioni solide e affidabili nonché una commutazione rapida.

Transistor MOSFET, ON Semi


Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.

Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.

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