MOSFET onsemi, canale N, 45 mΩ, 32 A, TO-220, Su foro

Marchio

onsemi

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

32 A

Tensione massima drain source

60 V

Tipo di package

TO-220

Serie

QFET

Tipo di montaggio

Su foro

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

45 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate minima

1V

Dissipazione di potenza massima

79 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-20 V, +20 V

Materiale del transistor

Si

Numero di elementi per chip

1

Larghezza

4.7mm

Carica gate tipica @ Vgs

15 nC a 5 V

Lunghezza

10.67mm

Massima temperatura operativa

+175 °C

Altezza

16.3mm

Minima temperatura operativa

-55 °C