MOSFET onsemi, canale N 55 V, 34 mΩ Miglioramento, 35 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante
- Codice RS:
- 807-6673P
- Codice costruttore:
- HUF75321P3
- Costruttore:
- onsemi
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- Codice RS:
- 807-6673P
- Codice costruttore:
- HUF75321P3
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 35A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 55V | |
| Tipo di package | TO-220 | |
| Serie | UltraFET | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 34mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione diretta Vf | 1.25V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 36nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | -20, +20V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 93W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Lunghezza | 10.67mm | |
| Larghezza | 4.7mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 16.3mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 35A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 55V | ||
Tipo di package TO-220 | ||
Serie UltraFET | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 34mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione diretta Vf 1.25V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 36nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs -20, +20V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 93W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Lunghezza 10.67mm | ||
Larghezza 4.7mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 16.3mm | ||
Standard automobilistico No | ||
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I MOSFET Trench UItraFET® combinano caratteristiche che garantiscono un'elevata efficienza nelle applicazioni di conversione di potenza. Il dispositivo è in grado di sopportare un'energia elevata nella modalità a valanga e il diodo mostra un tempo di recupero inverso e una carica immagazzinata molto bassi. Ottimizzato per garantire efficienza alle alte frequenze, una bassissima resistenza RDS(on), una bassa ESR e una carica di gate totale e Miller bassa.
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