MOSFET Fairchild Semiconductor, canale N, 25 mΩ, 56 A, TO-247, Su foro

Marchio

Fairchild Semiconductor

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

56 A

Tensione massima drain source

100 V

Tipo di package

TO-247

Serie

UltraFET

Tipo di montaggio

Su foro

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

25 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate minima

2V

Dissipazione di potenza massima

200 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-20 V, +20 V

Massima temperatura operativa

+175 °C

Lunghezza

15.87mm

Materiale del transistor

Si

Numero di elementi per chip

1

Carica gate tipica @ Vgs

110 nC a 20 V

Larghezza

4.82mm

Minima temperatura operativa

-55 °C

Altezza

20.82mm