MOSFET Fairchild Semiconductor, canale N, 25 mΩ, 56 A, TO-247, Su foro

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
807-6692
Codice costruttore:
HUF75639G3
Costruttore:
Fairchild Semiconductor
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Marchio

Fairchild Semiconductor

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

56 A

Tensione massima drain source

100 V

Tipo di package

TO-247

Serie

UltraFET

Tipo di montaggio

Su foro

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

25 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate minima

2V

Dissipazione di potenza massima

200 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-20 V, +20 V

Numero di elementi per chip

1

Massima temperatura operativa

+175 °C

Larghezza

4.82mm

Lunghezza

15.87mm

Materiale del transistor

Si

Carica gate tipica @ Vgs

110 nC a 20 V

Altezza

20.82mm

Minima temperatura operativa

-55 °C

MOSFET UltraFET®, Fairchild Semiconductor


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Transistor MOSFET, ON Semi


Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.
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