MOSFET PowerTrench onsemi, canale Tipo P 40 V, 12.3 mΩ Miglioramento, 50 A, 3 Pin, TO-252, Superficie
- Codice RS:
- 809-0880P
- Codice costruttore:
- FDD4141
- Costruttore:
- onsemi
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- Codice RS:
- 809-0880P
- Codice costruttore:
- FDD4141
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Tipo prodotto | MOSFET PowerTrench | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 50A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 40V | |
| Tipo di package | TO-252 | |
| Serie | PowerTrench | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 12.3mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 50nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 69W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Altezza | 2.39mm | |
| Lunghezza | 6.73mm | |
| Larghezza | 6.22 mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Tipo prodotto MOSFET PowerTrench | ||
Massima corrente di scarico continua Id 50A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V | ||
Tipo di package TO-252 | ||
Serie PowerTrench | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 12.3mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 50nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 69W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Altezza 2.39mm | ||
Lunghezza 6.73mm | ||
Larghezza 6.22 mm | ||
Standard automobilistico No | ||
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Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.
