Transistor MOSFET STMicroelectronics, canale N, 20 mΩ, 55 A, D2PAK, Montaggio superficiale
- Codice RS:
- 809-1271
- Codice costruttore:
- STB55NF03LT4
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Non disponibile
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- Codice RS:
- 809-1271
- Codice costruttore:
- STB55NF03LT4
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo di canale | N | |
| Corrente massima continuativa di drain | 55 A | |
| Tensione massima drain source | 30 V | |
| Serie | STripFET II | |
| Tipo di package | D2PAK | |
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima drain source | 20 mΩ | |
| Modalità del canale | Enhancement | |
| Dissipazione di potenza massima | 80 W | |
| Tensione massima gate source | -16 V, +16 V | |
| Numero di elementi per chip | 1 | |
| Massima temperatura operativa | +175 °C | |
| Larghezza | 9.35mm | |
| Carica gate tipica @ Vgs | 20 nC a 4,5 V | |
| Lunghezza | 10.4mm | |
| Altezza | 4.6mm | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo di canale N | ||
Corrente massima continuativa di drain 55 A | ||
Tensione massima drain source 30 V | ||
Serie STripFET II | ||
Tipo di package D2PAK | ||
Tipo di montaggio Montaggio superficiale | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima drain source 20 mΩ | ||
Modalità del canale Enhancement | ||
Dissipazione di potenza massima 80 W | ||
Tensione massima gate source -16 V, +16 V | ||
Numero di elementi per chip 1 | ||
Massima temperatura operativa +175 °C | ||
Larghezza 9.35mm | ||
Carica gate tipica @ Vgs 20 nC a 4,5 V | ||
Lunghezza 10.4mm | ||
Altezza 4.6mm | ||
STripFET™ II a canale N, STMicroelectronics
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Transistor MOSFET, STMicroelectronics
