MOSFET Vishay, canale N, 380 mΩ, 7,7 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

Codice RS:: 813-0720
Codice costruttore:: SIHLR120TR-GE3
Costruttore:: Vishay

MOSFET Vishay, canale N, 380 mΩ, 7,7 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

Prodotto discontinuato

Codice RS:: 813-0720
Codice costruttore:: SIHLR120TR-GE3
Costruttore:: Vishay

IRLR120, IRLU120, SiHLR120, SiHLU120, Power MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	7,7 A
Tensione massima drain source	100 V
Tipo di package	DPAK (TO-252)
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	380 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	1V
Dissipazione di potenza massima	42 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-10 V, +10 V
Larghezza	6.22mm
Materiale del transistor	Si
Carica gate tipica @ Vgs	12 nC a 5 V
Lunghezza	6.73mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	1
Altezza	2.38mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Vishay, canale N, 380 mΩ, 7,7 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

MOSFET canale N, da 100V a 150V, Vishay Semiconductor