MOSFET di potenza Vishay, canale Tipo P 30 V, 0.038 Ω Miglioramento, 12 A, 6 Pin, US, Superficie SIA449DJ-T1-GE3

Prezzo per 20 unità (fornito in una striscia continua)*

2,42 €

(IVA esclusa)

2,96 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Ultimi pezzi su RS
  • 2920 unità ancora disponibili, pronte per la spedizione da un'altra sede.
Unità
Per unità
20 +0,121 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
814-1213P
Codice costruttore:
SIA449DJ-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

12A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

US

Serie

TrenchFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

6

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.038Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

23.1nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-12V, +12V

Dissipazione di potenza massima Pd

19W

Tensione diretta Vf

-0.8V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

2.15mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Lunghezza

2.15mm

Altezza

0.8mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET canale P, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.