MOSFET Vishay, canale Tipo P 20 V, 0.0095 Ω Miglioramento, 35 A, 8 Pin, PowerPAK 1212-8, Superficie SIS415DNT-T1-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
814-1304
Codice costruttore:
SIS415DNT-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

35A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Serie

TrenchFET Gen III

Tipo di package

PowerPAK 1212-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.0095Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

12 V

Tensione diretta Vf

1.1V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

55.5nC

Dissipazione di potenza massima Pd

52W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

0.8mm

Larghezza

3.4 mm

Lunghezza

3.4mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

MOSFET canale P, da 8 V a 20 V, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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