MOSFET Vishay, canale Tipo P 60 V, 125 mΩ Miglioramento, 11 A, 3 Pin, TO-252, Superficie SQD19P06-60L_GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
819-3936
Codice costruttore:
SQD19P06-60L_GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

11A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

SQ Rugged

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

125mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

-1.5V

Dissipazione di potenza massima Pd

46W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

27nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

6.73mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

2.38mm

Larghezza

6.22 mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Paese di origine:
TW

MOSFET canale P, serie SQ Rugged, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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