MOSFET Infineon, canale N, 2 mΩ, 195 A, TO-220AB, Su foro

Codice RS:: 820-8833P
Codice costruttore:: IRFB7530PBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 2 mΩ, 195 A, TO-220AB, Su foro

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Codice RS:: 820-8833P
Codice costruttore:: IRFB7530PBF
Costruttore:: Infineon

StrongIRFET, IRFB7530PbF, IRFS7530PbF, IRFSL7530PbF, HEXFET Power MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	195 A
Tensione massima drain source	60 V
Tipo di package	TO-220AB
Serie	StrongIRFET
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	2 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	3.7V
Tensione di soglia gate minima	2.1V
Dissipazione di potenza massima	375 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Materiale del transistor	Si
Carica gate tipica @ Vgs	274 nC a 10 V
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	4.83mm
Massima temperatura operativa	+175 °C
Lunghezza	10.67mm
Altezza	16.51mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Infineon, canale N, 2 mΩ, 195 A, TO-220AB, Su foro

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MOSFET di potenza StrongIRFET™, Infineon