MOSFET DiodesZetex, canale N, 100 mΩ, 5,9 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Codice RS:: 822-2554
Codice costruttore:: DMN2050L-7
Costruttore:: DiodesZetex

MOSFET DiodesZetex, canale N, 100 mΩ, 5,9 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 822-2554
Codice costruttore:: DMN2050L-7
Costruttore:: DiodesZetex

DMN2050L-7 N-Channel Enhancement Mode MOSFET Data Sheet
Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	5,9 A
Tensione massima drain source	20 V
Tipo di package	SOT-23
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	100 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	1.4V
Dissipazione di potenza massima	1,4 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-12 V, +12 V
Materiale del transistor	Si
Larghezza	1.4mm
Numero di elementi per chip	1
Carica gate tipica @ Vgs	6,7 nC a 4,5 V
Lunghezza	3mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1.1mm

MOSFET DiodesZetex, canale N, 100 mΩ, 5,9 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale N, da 12 V a 28 V, Diodes Inc

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