MOSFET DiodesZetex, canale N, 190 mΩ, 6,1 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

Codice RS:: 823-2454P
Codice costruttore:: ZXMN7A11KTC
Costruttore:: DiodesZetex

MOSFET DiodesZetex, canale N, 190 mΩ, 6,1 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

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Codice RS:: 823-2454P
Codice costruttore:: ZXMN7A11KTC
Costruttore:: DiodesZetex

ZXMN7A11K 70v N-Channel Enhancement Mode Mosfet Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	6,1 A
Tensione massima drain source	70 V
Tipo di package	DPAK (TO-252)
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	190 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	1V
Dissipazione di potenza massima	8,5 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Lunghezza	6.73mm
Carica gate tipica @ Vgs	7,4 nC a 10 V
Larghezza	6.22mm
Numero di elementi per chip	1
Materiale del transistor	Si
Altezza	2.39mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET DiodesZetex, canale N, 190 mΩ, 6,1 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

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MOSFET a canale N, da 40 V a 90 V, Diodes Inc