MOSFET DiodesZetex, canale N, P, 85 mΩ, 190 mΩ, 2 A, 4,5 A, TSOT-26, Montaggio superficiale

Codice RS:: 823-2915P
Codice costruttore:: DMG6601LVT-7
Costruttore:: DiodesZetex

MOSFET DiodesZetex, canale N, P, 85 mΩ, 190 mΩ, 2 A, 4,5 A, TSOT-26, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 823-2915P
Codice costruttore:: DMG6601LVT-7
Costruttore:: DiodesZetex

Complementary Pair Enhancement Mode Mosfet Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N, P
Corrente massima continuativa di drain	2 A, 4,5 A
Tensione massima drain source	30 V
Tipo di package	TSOT-26
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	6
Resistenza massima drain source	85 mΩ, 190 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	3V
Dissipazione di potenza massima	1,3 W
Configurazione transistor	Isolato
Tensione massima gate source	-12 V, +12 V
Materiale del transistor	Si
Carica gate tipica @ Vgs	12,3 nC a 10 V, 13,8 nC a 10 V
Lunghezza	2.9mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	2
Larghezza	1.6mm
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	0.9mm

MOSFET DiodesZetex, canale N, P, 85 mΩ, 190 mΩ, 2 A, 4,5 A, TSOT-26, Montaggio superficiale

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MOSFET doppio a canale N/P, Diodes Inc.