MOSFET DiodesZetex, canale P, 150 mΩ, 3,7 A, SOT-26, Montaggio superficiale

Codice RS:: 823-3160
Codice costruttore:: ZXMP4A57E6TA
Costruttore:: DiodesZetex

MOSFET DiodesZetex, canale P, 150 mΩ, 3,7 A, SOT-26, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 823-3160
Codice costruttore:: ZXMP4A57E6TA
Costruttore:: DiodesZetex

40v P-Channel Enhancement Mode Mosfet Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	3,7 A
Tensione massima drain source	40 V
Tipo di package	SOT-26
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	6
Resistenza massima drain source	150 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	3V
Dissipazione di potenza massima	1,7 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Materiale del transistor	Si
Carica gate tipica @ Vgs	15,8 nC a 10 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Lunghezza	3.1mm
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	1.7mm
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1.3mm

MOSFET DiodesZetex, canale P, 150 mΩ, 3,7 A, SOT-26, Montaggio superficiale

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MOSFET a canale P, da 40 V a 90 V, Diodes Inc

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