MOSFET DiodesZetex, canale N, 50 mΩ, 7 A, SOIC, Montaggio superficiale

Codice RS:: 823-3236P
Codice costruttore:: DMN4031SSD-13
Costruttore:: DiodesZetex

MOSFET DiodesZetex, canale N, 50 mΩ, 7 A, SOIC, Montaggio superficiale

Prezzo per Pezzo (Fornito in bobina)**. Quantità inferiori a 150 pz. sono fornite in una striscia senza intestazioni.

0,352 €

(IVA esclusa)

0,429 €

(IVA inclusa)

5400 Disponibile per la consegna entro 3 giorni lavorativi, per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa)*

* Le date di consegna possono variare in base alla quantità selezionata e all'indirizzo di consegna.

Consegna GRATUITA per ordini superiori a € 100,00

Unità	Per unità
20 +	0,352 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 823-3236P
Codice costruttore:: DMN4031SSD-13
Costruttore:: DiodesZetex

Dual N-Channel Enhancement Mode Mosfet Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	7 A
Tensione massima drain source	40 V
Tipo di package	SOIC
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	50 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	1.6V
Dissipazione di potenza massima	2,6 W
Configurazione transistor	Isolato
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Materiale del transistor	Si
Carica gate tipica @ Vgs	18,6 nC a 10 V
Lunghezza	4.95mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	2
Larghezza	3.95mm
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1.5mm

MOSFET DiodesZetex, canale N, 50 mΩ, 7 A, SOIC, Montaggio superficiale

Consegna GRATUITA per ordini superiori a € 100,00

MOSFET doppio a canale N, Diodes Inc.