MOSFET ROHM, canale N, 140 mΩ, 5 A, SC-63, Montaggio superficiale

Marchio

ROHM

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

5 A

Tensione massima drain source

60 V

Tipo di package

SC-63

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

140 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

3V

Dissipazione di potenza massima

15 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-20 V, +20 V

Numero di elementi per chip

1

Materiale del transistor

Si

Massima temperatura operativa

+150 °C

Lunghezza

6.5mm

Carica gate tipica @ Vgs

8 nC a 10 V

Larghezza

5.5mm

Altezza

2.3mm