MOSFET ROHM, canale N, 160 mΩ, 2,5 A, TUMT, Montaggio superficiale

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Codice RS:
826-7800
Codice costruttore:
RUF025N02TL
Costruttore:
ROHM
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Marchio

ROHM

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

2,5 A

Tensione massima drain source

20 V

Tipo di package

TUMT

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

3

Resistenza massima drain source

160 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

1.3V

Dissipazione di potenza massima

800 mW

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-10 V, +10 V

Numero di elementi per chip

1

Lunghezza

2.1mm

Massima temperatura operativa

+150 °C

Carica gate tipica @ Vgs

5 nC a 4,5 V

Materiale del transistor

Si

Larghezza

1.8mm

Altezza

0.82mm

Paese di origine:
TH

Transistor MOSFET a canale N, ROHM



Transistor MOSFET, ROHM Semiconductor

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