MOSFET ROHM, canale N, 160 mΩ, 2,5 A, TUMT, Montaggio superficiale

Codice RS:: 826-7800
Codice costruttore:: RUF025N02TL
Costruttore:: ROHM

MOSFET ROHM, canale N, 160 mΩ, 2,5 A, TUMT, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 826-7800
Codice costruttore:: RUF025N02TL
Costruttore:: ROHM

RUF025N02 N-ch 20V 2.5A Power MOSFET

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	2,5 A
Tensione massima drain source	20 V
Tipo di package	TUMT
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	160 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	1.3V
Dissipazione di potenza massima	800 mW
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-10 V, +10 V
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	1.8mm
Carica gate tipica @ Vgs	5 nC a 4,5 V
Lunghezza	2.1mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Materiale del transistor	Si
Altezza	0.82mm

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Transistor MOSFET a canale N, ROHM

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