MOSFET ROHM, canale Tipo N 20 V, 110 mΩ Miglioramento, 4 A, 3 Pin, TSMT, Superficie RUR040N02TL

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Codice RS:
826-7813
Codice costruttore:
RUR040N02TL
Costruttore:
ROHM
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Marchio

ROHM

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

4A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Serie

RUR040N02

Tipo di package

TSMT

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

110mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±10 V

Dissipazione di potenza massima Pd

1W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

8nC

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

2.9mm

Altezza

0.8mm

Larghezza

1.6 mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
TH

Transistor MOSFET a canale N, ROHM


Transistor MOSFET, ROHM Semiconductor


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