MOSFET Infineon, canale N, 50 mΩ, 7,3 A, SOIC, Montaggio superficiale

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
826-8838
Codice costruttore:
IRF7201TRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Corrente massima continuativa di drain

7,3 A

Tensione massima drain source

30 V

Serie

HEXFET

Tipo di package

SOIC

Tipo di montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

8

Resistenza massima drain source

50 mΩ

Modalità del canale

Enhancement

Tensione di soglia gate massima

1V

Tensione di soglia gate minima

1V

Dissipazione di potenza massima

2,5 W

Configurazione transistor

Singolo

Tensione massima gate source

-20 V, +20 V

Carica gate tipica @ Vgs

19 nC a 10 V

Larghezza

4mm

Lunghezza

5mm

Materiale del transistor

Si

Numero di elementi per chip

1

Massima temperatura operativa

+150 °C

Minima temperatura operativa

-55 °C

Altezza

1.5mm

Tensione diretta del diodo

1.2V

Paese di origine:
CN

MOSFET Infineon serie HEXFET, corrente di scarico continua massima di 7,3A, dissipazione di potenza massima di 2,5W - IRF7201TRPBF


Questo MOSFET a canale N è stato progettato per una commutazione efficiente in varie applicazioni. Dotato di tecnologia HEXFET avanzata, offre prestazioni superiori con bassa resistenza di accensione ed elevata capacità di dissipazione di potenza. Con una corrente di drenaggio continua di 7,3A e una tensione di drenaggio-sorgente di 30V, questo componente è adatto per l'automazione, l'elettronica e altri ambienti tecnici in cui efficienza e affidabilità sono essenziali.

Caratteristiche e vantaggi


• Il basso RDS(on) migliora l'efficienza energetica
• Potenza massima dissipata di 2,5W
• Tensione di soglia del gate di solo 1V
• Progettato per applicazioni a montaggio superficiale per ottimizzare lo spazio
• La velocità di commutazione migliora la reattività del sistema

Applicazioni


• Utilizzato nei sistemi di gestione dell'energia
• Adatto per il controllo dei motori
• Comunemente utilizzato negli elementi di commutazione per il settore automobilistico
• Impiegato nei circuiti di alimentazione
• Applicabile alle apparecchiature di telecomunicazione

In che modo il basso RDS(on) favorisce l'efficienza del circuito?


La bassa RDS(on) riduce le perdite di potenza attraverso il dispositivo, aumentando l'efficienza complessiva del circuito e riducendo al minimo la generazione di calore.

A quali temperature può operare questo MOSFET?


Funziona efficacemente in un intervallo compreso tra -55°C e +150°C, rendendolo versatile per diverse condizioni ambientali.

Qual è il significato della tensione di soglia del gate?


La bassa tensione di soglia del gate facilita il controllo del MOSFET, consentendogli di accendersi con segnali di ingresso più bassi e migliorando la compatibilità con diversi circuiti.

Questo MOSFET può gestire correnti pulsate?


Sì, è in grado di gestire correnti di drenaggio pulsate fino a 58A, adatte ad applicazioni che richiedono brevi picchi di potenza.

Quali processi produttivi ne garantiscono l'affidabilità?


Le tecniche di elaborazione avanzate sono state implementate per ottenere una bassa resistenza di accensione e un design robusto del dispositivo, garantendo prestazioni affidabili in applicazioni difficili.


Transistor MOSFET, Infineon


Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

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