MOSFET Infineon, canale N, 6 Ω, 230 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

Codice RS:: 826-9954
Codice costruttore:: BSS138NH6327XTSA2
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 6 Ω, 230 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 500)**

0,138 €

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Unità	Per unità	Per bobina**
500 +	0,138 €	69,00 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 826-9954
Codice costruttore:: BSS138NH6327XTSA2
Costruttore:: Infineon

BSS138N SIPMOS Small Signal Transistor Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	230 mA
Tensione massima drain source	60 V
Serie	SIPMOS®
Tipo di package	SOT-23
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	6 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	1.4V
Tensione di soglia gate minima	0.6V
Dissipazione di potenza massima	360 mW
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Larghezza	1.3mm
Carica gate tipica @ Vgs	1 nC a 10 V
Lunghezza	2.9mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Materiale del transistor	Si
Numero di elementi per chip	1
Altezza	1mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Infineon, canale N, 6 Ω, 230 mA, SOT-23, Montaggio superficiale

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MOSFET canale N Infineon SIPMOS®

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